SiC-enkristaller av hög-kvalitet framställs huvudsakligen genom fysikalisk ångtransport (PVT) och hög-temperatur kemisk ångdeposition (HTCVD). PVT-metoden sublimerar SiC-källpulver vid hög temperatur, vilket gör att komponenterna i det kondenserar på ytan av frökristallen för att växa SiC-enkristaller av hög-kvalitet. HTCVD-metoden syntetiserar SiC-kristaller vid höga temperaturer genom kemisk ångavsättning.
