SiC används i stor utsträckning inom många områden på grund av dess utmärkta prestanda, särskilt i kraftelektroniska enheter och mikrovågsradiofrekvensenheter. På grund av dess höga spänningsresistans, höga temperaturbeständighet, höga frekvenser och låga förluster anses kiselkarbid vara ledaren för "tredje generationens halvledarmaterial" och används i stor utsträckning vid produktion av hög-effektenheter.
